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Solos IGBT módulos 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuración

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDarren Ma
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Solos IGBT módulos 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuración

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Number modelo :FD150R12RT4HOSA1
Lugar del origen :Alemania
Cantidad de orden mínima :1pcs
Condiciones de pago :L/C, T/T
Capacidad de la fuente :500 PCS+48hours
Plazo de expedición :48hours
Detalles de empaquetado :Bandeja
Infineon :FD150R12RT4HOSA1
Configuración :Solo
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor :1,2 kilovoltios
Voltaje de saturación del Colector-emisor :2,15 V
Corriente de colector continua en 25C :150 A
corriente de la salida del Puerta-emisor :nA 100
disipación del Paladio-poder :790 W
Temperatura de trabajo mínima :-40℃
Temperatura de trabajo máxima :+150℃
Empaquetado :10 PC
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FD150R12RT4HOSA1   SP000711858   Infineon    Módulo IGBT 1200V 150A de IGBT

FD150R12RT4

 

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: Módulos de IGBT
Configuración: Solo
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor: 1,2 kilovoltios
voltaje de saturación del Colector-emisor: 2,15 V
Corriente de colector continua en 25 C: 150 A
corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
disipación del Paladio-poder: 790 W
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Paquete: Bandeja
Voltaje máximo de la puerta/del emisor: 20 V
Estilo de la instalación: SMD/SMT
Serie: Foso/Fieldstop IGBT4
Cantidad que embala: 10 PCS
Subcategoría: IGBTs

 

 

Solos IGBT módulos 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuraciónSolos IGBT módulos 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuración

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