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Transistores del Mosfet del poder más elevado

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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Transistores del Mosfet del poder más elevado

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Brand Name :STMICROELECTRONICS
Model Number :BTA16-600BRG
Certification :Original Factory Pack
Place of Origin :Morocco
MOQ :100pcs
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union,PayPal
Supply Ability :8000PCS
Delivery Time :1 Day
Packaging Details :please contact me for details
RMS on-state current :16 A
Voltage :600V 700V 800V
Value for fusing :144 A² s
Collector current :10 to 50 mA
Critical rate of rise of on-state current :50 A/µs
Storage junction temperature :-40 to +150 ℃
Operating junction temperature :-40 to +125 ℃
Package :TO-220
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Tiristores bidireccionales del silicio de los triac de los TRIAC de BTA16-600BRW 16A

 

Características

Triac actual medio

■Resistencia termal baja con la vinculación del clip

■Aislamiento bajo de la resistencia termal de cerámica para BTA aislado

■Alta conmutación (4Q) o capacidad muy alta de la conmutación (3Q)

■Serie UL1557 de BTA certificada (referencia del fichero: 81734)

■Los paquetes son RoHS (2002/95/EC) obedienteTransistores del Mosfet del poder más elevado

 

 

Usos

La función del ángulo CON./DESC. o de fase en usos tales como retransmisiones estáticas, amortiguadores ligeros y motores del dispositivo apresura reguladores. Las versiones snubberless (la serie W y T12 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en cargas inductivas, debido a sus altos funcionamientos de la conmutación.

 

La serie de BTA proporciona una etiqueta aislada (clasificada en 2500 V RMS).

 

 

Descripción

Disponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, serie del triac de BTA12, de BTB12 y de T12xx es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA de la red eléctrica.

 

 

Resumen del dispositivo

                                 
SímboloParámetroT12xxBTA12 (1) BTB12
LAS TIC (RMS) Corriente del en-estado del RMS121212
VDRM/VRRMVoltaje máximo repetidor del apagado-estado 600/800600/800600/800
IGT (Snubberless)Accionar la corriente de la puerta10/35/505/10/35/505/10/35/50
IGT (estándar)Accionar la corriente de la puerta-35/5035/50

 

 

Figura 1. disipaciones de poder del máximo contra la corriente del en-estado del RMS (el ciclo completo)

 

 

 

Transistores del Mosfet del poder más elevado

 

 

 

 

 

 

 

Cuadro 2. en-estado del RMS actual contra la temperatura de caso (ciclo completo)

 

Transistores del Mosfet del poder más elevado

 

Información de empaquetado

El epóxido resuelve UL94, V0 para cumplir los requisitos ambientales, ofertas del ST estos dispositivos en paquetes de ECOPACK®. Estos paquetes tienen una segunda interconexión llana sin plomo. La categoría de segunda interconexión llana se marca en el paquete y en la etiqueta interna de la caja, de acuerdo con JEDEC JESD97 estándar. Los grados máximos relacionados con las condiciones que sueldan también se marcan en la etiqueta interna de la caja. ECOPACK es una marca registrada del ST. Las especificaciones de ECOPACK están disponibles en: www.st.com.

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