Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd.

Shenzhen Yulongtong Electronics Co., Ltd.

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Terminación de la ventaja

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Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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 Terminación de la ventaja

Terminación 2.5*2.5m m de la ventaja de RFR50-20 50ohm 10W DC 14GHz

Dc plomado 18 2,5 * 2,5 de la C.C. 14G BeO AlN Al2O3 de Chip Terminations 50Ω 10w 1. Suministramos diversos componentes electrónicos y damos la
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1,25 VSWR 250W BeO Chip Lead Termination de cerámica 9.5*9.5m m

·Chip Terminations plomado BeO AlN Al2O3 9,5 * 9,5 Carga simulada del poder más elevado de cerámica de los resistores 250watts 50ohms DC-3.0GHz
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DC 18GHz 10W 1.27*2.54m m Chip Terminations Customized plomado

Chip Terminations plomado 50Ω 10w 1,27 * 2,54 (Resistencia estándar): 50Ω (Material del substrato): BeO, AlN, Al2 O3 (Tolerancia de la resiste
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OEM DC 3GHz 5x2.5m m Chip Lead Termination For Isolators

Dc plomado 3 5 * 2,5 de Chip Terminations BeO AlN Al2O3 USOS Redes móviles Difusión Amplificadores de poder más elevado Aisladores Milita
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20 vatios DC 6GHz 2.5x5m m Chip Terminations plomado RoHS

Chip Terminations plomado 50Ω 20w DC-6G BeO AlN Al2O3 DC-14 2.5*5 (Resistencia estándar): 50Ω (Material del substrato): BeO, AlN, Al2 O3 (Toleran
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60 vatios DC 4GHz BeO soldaron con autógena la terminación de plata 6*5m m de la ventaja

·Chip Terminations plomado 50Ω 60w DC -4G BeO DC-3 6 * 5 Características: • Gigahertz DC-6.0 • 60 vatios • 50 ohmios de ± el
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Solo OEM de la resistencia de la ventaja de DC 3GHz 6.35*9.5m m VSWR 1,25

Solo VSWR 1,25 de dc 3 6,35 * 9,5 de BeO AlN Al2O3 de la resistencia de la ventaja · (Resistencia estándar): 50Ω (Material del substrato): BeO, A
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BeO AlN Al2O3 50Ohm 60W Chip Lead Termination 6x6m m

·Chip Terminations plomado 50Ω 60w BeO AlN Al2O3 6 * 6 Suministramos diversos componentes electrónicos y damos la bienvenida a su investigación
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poder más elevado de la resistencia de la ventaja del vatio 50ohm de 4*4m m DC3GHz 10 solo

Solo dc 3 4 * 4 de la C.C. 3G BeO AlN Al2O3 de la resistencia 50Ω 10w de la ventaja CARACTERÍSTICAS Tab Launch Poder más elevado Disipador
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5 vatios DC 3GHz VSWR Chip Lead Termination For Instrumentation 1,20

Chip Terminations plomado 50Ω 5w DC-3G BeO AlN Al2O3 DC-4 6*4 VSWR 1,20 USOS Redes móviles Difusión Amplificadores de poder más elevado Aisla
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