Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd.

Shenzhen Yulongtong Electronics Co., Ltd.

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100 terminación del reborde de BeO AlN Al2O3 9*6m m del vatio para los militares

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Shenzhen Yulongtong Electron Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MissAmy Long
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100 terminación del reborde de BeO AlN Al2O3 9*6m m del vatio para los militares

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Number modelo :Microprocesador
Lugar del origen :China
Condiciones de pago :T/T, L/C, Western Union, MoneyGram, Paypal
Plazo de expedición :5-8 días del trabajo
Cantidad de orden mínima :100pcs
Capacidad de la fuente :13Million PCS para el resistor del RF, 7Million PCS para el atenuador del RF
Detalles de empaquetado :Caja interior + fuera del cartón más la plataforma o el caso de madera en caso de necesidad
Resistencia estándar :50Ω
Tolerancia de la resistencia :el ±5% (defecto); el ±2%; el ±1%
frecuencia :DC-6Ghz
Coeficiente de temperatura :≤150ppm/℃
VSWR :1,25
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Terminaciones 100w BeO AlN Al2O3 9 * 6 del soporte del reborde

 

USOS
Redes móviles
Difusión
Amplificadores de poder más elevado
Aisladores
Militar
Instrumentación

 

 

Referencia del producto)

平均功率

频率范围

Frecuencia

最大驻波比

VSWR

dimensiones del 尺寸 (milímetros) 产品型号
Potencia Modelo
(w) (Gigahertz) (Máximo) W L H Yo TW  
20 DC-10 1,35 5 2,5 5 0,6 N/A RFR50-20TIN0402A
40 DC-3 1,20 6 4,7 3 6 1 RFR50-40TBL0901A
100 DC-6 1,25 6,35 6,35 3,5 6 1 RFR50-100TLS3304A
100 DC-6 1,25 9 6 1 1 N/A RFR50-100TBR1201A
250 DC-3 1,20 10 10 4 6 1,4 RFR50-250TBDT1602A
250 DC-3 1,20 12,7 10 4 6 2,4 RFR50-250TBAB1702B
800 DC-1.1 1,20 25,4 26,4 4,8 8 2,4 RFR50-800TEG3102
1000 DC-6 1,30 20 30 5,1 6 2,4

RFR50-1000TME14801A

 

 

 

100 terminación del reborde de BeO AlN Al2O3 9*6m m del vatio para los militares

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