gigahertz BeO AlN Al2O3 0,5 * 1 de dc 30 de la resistencia 50Ω 10w del electrodo
| 额定功率 | 频率范围 | 最大驻波比 | 尺寸 | 产品型号 |
| Potencia | Frecuencia | VSWR | Dimensiones (milímetros) | Modelo |
| (w) | (Gigahertz) | (Máximo) | W | L | H | | B | C | |
| 1 | DC-30 | 1,30 | 0,5 | 1 | 0,25 | N/A | N/A | N/A | RFR50N-1CT24801B |
| 3 | DC-30 | 1,50 | 1,27 | 2,54 | 0,6 | 1,54 | 0,5 | 0,6 | RFR50-3CT43702F |
| 5 | DC-6 | 1,25 | 1,27 | 2,54 | 0,6 | 1,54 | 0,4 | 0,6 | RFR50N-5CT27001B |
| 12 | DC-6 | 1,20 | 1,5 | 3 | 0,38 | N/A | N/A | N/A | RFR50N-12CT15803B |
| 5 | DC-12 | 1,35 | 2,5 | 3 | 0,6 | N/A | N/A | N/A | RFR50-5CT0214B |
| 25 | DC-6 | 1,20 | 2,5 | 5 | 1 | N/A | N/A | N/A | RFR50N-25CT0337B |
| 150 | DC-4 | 1,20 | 6,35 | 6,35 | 1,5 | 1,27 | 0,76 | N/A | RFR50N-150CT4803B
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- (Resistencia estándar): 50Ω
- (Material del substrato): BeO, AlN, Al2O3
- (Tolerancia de la resistencia): ± el 5% (defecto); el ±2%; el ±1%
- (Potencia): 5~500W
- (Gama de temperaturas): - 55~+150℃
- (Coeficiente de temperatura): ≤ 150ppm/℃
- (RoHS obediente)
(Podemos proporcionar el producto modificado para requisitos particulares según el requisito de clientes, tal como resistencia y configuración. )
FAQ de los terminales del microprocesador
Q1: ¿Cuándo puedo conseguir el perfil de compañía, el precio y la información de producto?
A4: Generalmente le ofrecemos con estos la información dentro 1 hora después de que conseguimos su investigación.
Q5: ¿Cómo podría conseguir una muestra?
A5: Si usted no puede comprar nuestro producto en su área local, enviaremos una muestra a usted. Le cargarán un precio de la muestra más todos
costes de envío relacionados. La carga de envío express depende de la cantidad de las muestras.
Q6: ¿Cuál es sus condiciones de pago?
A6: Para el primer orden, necesitamos el depósito, después podemos comenzar las mercancías de la producción para usted.
Después de que tengamos buena relación y nos conozcamos mejor, usted puede pagarnos antes del envío y de ningún depósito de la necesidad.
