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Memoria Flash IC 512Kb (64K x 8) SPI 70MHz 8-SOIC de AT25F512B-SSH-T
Descripción
El AT25F512B es un dispositivo de memoria Flash de la interfaz en serie diseñado para el uso en una amplia variedad de consumidor en grandes cantidades basó los usos en los cuales el código de programa se sombrea de memoria Flash en RAM integrado o externo para la ejecución. La arquitectura flexible del borrado del AT25F512B, con su granulosidad del borrado tan pequeña como 4 kilobytes, hace ideal para el almacenamiento de datos también, eliminando la necesidad de dispositivos del almacenamiento de datos adicional EEPROM. Los tamaños de bloque del borrado del AT25F512B se han optimizado para cubrir las necesidades de los usos de hoy del almacenamiento del código y de datos. Optimizando el tamaño de los bloques del borrado, la memoria se puede utilizar mucho más eficientemente. Porque ciertos segmentos del almacenamiento de los módulos y de datos del código deben residir solo en sus propias regiones del borrado, haber perdido y la memoria inusitada que ocurre con haber sectored grande y los dispositivos de memoria Flash grandes del borrado del bloque pueden ser reducidos grandemente. Esta eficacia creciente de la memoria permite las rutinas del código adicional y los segmentos del almacenamiento de datos que se añadirán mientras que todavía mantiene la misma densidad total del dispositivo. El dispositivo también contiene un registro especializado de la seguridad de OTP (programable de una sola vez) que se pueda utilizar para los propósitos tales como serialización única del dispositivo, almacenamiento electrónico a nivel sistema del número de serie (ESN), almacenamiento dominante bloqueado, etc. Diseñado específicamente para el uso en sistemas de 3 voltios, el AT25F512B apoya la lectura, el programa, y operaciones del borrado con una gama del voltaje de fuente de 2.7V a 3.6V. No se requiere ningún voltaje separado para programar y borrar.
Fabricante | Tecnología del microchip | |
---|---|---|
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Situación de la parte | Obsoleto | |
Tipo de la memoria | Permanente | |
Formato de la memoria | FLASH | |
Tecnología | FLASH | |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) | |
Frecuencia de reloj | 70MHz | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15µs, 5ms | |
Interfaz de la memoria | SPI | |
Voltaje - fuente | 2,7 V ~ 3,6 V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de parte bajo | AT25F512 |
Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | |
LM385M3X-2.5 | NS | S-1132B26-I6T2G | SEIKO | |
WG82534RDE SL8QH | INTEL | REF3312AIDBZR | TI | |
PIC24FJ64GA002-I/SP | MICROCHIP | CAT24C01YI-GT3 | EN | |
BU4584B | ROHM | SN65HVD1794DR | TI | |
AIC1734-27PU (DA27P) | AIC | MAX9032AUA+T | MÁXIMA | |
TMA 1212D | TRACOPOWER | KM68V1000BLT-7L | SAMSUNG | |
TLP762J | TOSHIBA | IS67WVE4M16BLL-70BLA1 | ISSI | |
SSD2531QN5 | SOLOMON | ATF1500AL-25AC | ATMEL/ADESTO | |
MX29LV040QC-70 | MXIC | MM1616XBRE | MITSUMI | |
LM324N | TI | BD9321EFJ-E2 | ROHM | |
CY62128VLL-55Z | CY | PNJ4S49M01CA | PANASONIC | |
SRTP8J919F8F2017A | SCSE | PCI9060REV2 | PLX | |
MX29LV320ABTC-90 | MXIC | MSP3415G-QI-B8-V3-T | MICRONAS | |
EL2090CM | ELANTEC | EP2SGX90EF1152C3 | ALTERA | |
856979 | MANUFACT | DCP010505DBP | BB | |
IDT89HA0324APSZG | IDT | BCM5784CU | BROADCOM | |
FDV303N | FAIRCHILD | SXBP-100+ | MINI | |
BCM1113RKPB | BROADCOM | DS1314S-2+T | MÁXIMA | |
TL7700CDGKR | TI | BD4826G-TR | ROHM | |
S-80924CLMC-G6UT2G | SII | SC6600D5-180G | SPREADTRU |