Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Canal N superficial 55V 17A 45W de la d PAK del transistor de poder más elevado del soporte IRFR024NTRPBF

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Canal N superficial 55V 17A 45W de la d PAK del transistor de poder más elevado del soporte IRFR024NTRPBF

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Número de modelo :IRFR024NTRPBF
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :50 PC
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :20KPCS
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :2000Pcs/Reel
Tipo del FET :Canal N
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 175°C
Nivel (MSL) de la sensibilidad de humedad :1 (ilimitado)
Situación sin plomo/situación de RoHS :Sin plomo/RoHS obediente
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Soporte RoHS de la superficie del canal N 55V 17A 45W de IRFR024NTRPBF D-PAK obediente

Característica
l En-resistencia ultrabaja
l soporte de la superficie (IRFR024N)
l ventaja recta (IRFU024N)
l tecnología de proceso avanzada
l ayuna transferencia
l completamente avalancha clasificada
Tipo del FETCanal N
TecnologíaMOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C17A (Tc)
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido)10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs75 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @4V @ 250µA
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada370pF @ 25V
Característica del FET-
Disipación de poder (máxima)45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo del montajeSoporte superficial

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