IRF640NSTRLPBF Transistor Mosfet de canal N 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Montaje en superficie D2PAK Tecnología de proceso avanzada
Dynamic dv / dt Rating 175 ° C Temperatura de funcionamiento
Conmutación rápida Totalmente avalancha
Facilidad de paralelismo
Requisitos sencillos de manejo
Descripción
Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por los que los HEXFET Power MOSFET son bien conocidos, proporcionan al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2Pak es un paquete de alimentación de montaje superficial capaz de acomodar tamaños de troquel hasta HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en cualquier paquete de montaje de superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2.0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF640NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
| Fabricante | Infineon Technologies | |
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| Serie | HEXFET® | |
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| embalaje | Cinta y carrete (TR) | |
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| Estado de la pieza | Activo | |
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| Tipo de FET | N-Channel | |
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| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
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| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V | |
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| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) | |
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| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V | |
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| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA | |
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| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V | |
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| Vgs (Max) | ± 20V | |
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| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V | |
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| Característica FET | - | |
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| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) | |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm a 11A, 10V | |
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| Temperatura de funcionamiento | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | |
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| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
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| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
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| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 terminales + Tab), TO-263AB |
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| Lista de otros componentes electrónicos en existencia |
| NÚMERO DE PARTE | MFG / MARCA | | NÚMERO DE PARTE | MFG / MARCA |
| 88PG8211A2-NXS2C000-T | MARVELL | | BCM8704AKFB | BROADCOM |
| PIC16LF1828-I / SO | PASTILLA | | SAFEB1G90FA0F05R14 | MURATA |
| MT9V022IA7ATC | MICRÓN | | N25Q128A13ESFC0F | MICRÓN |
| THS4503IDGKG4 | TI | | MAX2116UTL + | MÁXIMA |
| IR4426SPBF | IR | | EMH2 T2R | RONM |
| HD74LS73AP | RENESAS | | 2SJ132-Z-E1 | Comité ejecutivo nacional |
| SN74F74DR | TI | | 1S222345TCG44FA | AMD |
| SC11024CN | SIERRA | | TC94A93MFG-201 | TOSHIBA |
| HEF4050BT | | | S29GL256N10TAI010 | SPANSION |
| CY7C1327G-133AXC | CIPRÉS | | NSR05F40NXT5G | EN |
| SM4142 | SM | | SCD57103-20-Z | OSRAM |
| G6JU-2FS-Y-TR-4.5V | OMRON | | S9S12P128J0MLH | FREESCALE |
| 2SC2712-Y (T5L | TOSHIBA | | P0300SARP | LITTELFUS |
| TPS77501MPWPREPG4 | TI | | GL660USB | GENESYS |
| RT9170-18PB | RICHTEK | | BCM5356KFBG | BROADCOM |
| PEMH10 | PHILIPS | | S-8424AACFT-TB-G | SII |
| LFEC1E-3QN208C | ENREJADO | | GP1UXC27QS | AGUDO |
| BFP320WE6327 | INFINEON | | C2151BX2 | CAMBRIDGE |
| XC7Z020-2CLG400I | XILINX | | TMR 1-0511SM | TRACO |
| AUO-K1900 | AUO | | MC74LVX08DTR2 | EN |
