Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
8 Años
Casa / Productos / Mosfet Power Transistor /

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP

Contacta
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
Contacta

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP

Preguntar último precio
Número de modelo :PBSS4160T, 215
Lugar del origen :CN
Cantidad de orden mínima :3000 piezas
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10Kpcs por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :Grabe y aspe en caja
Condición de las mercancías :Las novedades
Situación de la parte :Activo
Sin plomo/Rohs :Denuncia
Función :NPN
Tipo del montaje :Montaje en superficie
Paquete :SOT23
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Transistor bajo de PBSS4160T NPN VCEsat en SOT23 un complemento plástico del paquete PNP a PBSS5160T

CARACTERÍSTICAS
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• La eficacia alta, reduce la generación de calor
• Reduce el área del tablero del circuito impreso requerida
• Reemplazo rentable para el transistor de poder medio BCP55 y BCX55.

USOS
• Segmentos importantes del uso:
– Poder automotriz de 42 V
– Infraestructura de las telecomunicaciones
– Industrial.
• Gestión del poder:
– Conversión de DC-a-DC
– Transferencia de línea de suministro.
• Conductor periférico
– Conductor en usos bajos del voltaje de fuente (e.g lámparas y LED)
– Conductor de la carga inductiva (e.g retransmisiones, zumbadores y motores).

Fabricante Nexperia los USA Inc.
Serie -
Empaquetado Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte Activo
Tipo del transistor NPN
Actual - colector (Ic) (máximo) 1A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 60V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic 250mV @ 100mA, 1A
Actual - atajo del colector (máximo) 100nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V
Poder - máximo 400mW
Frecuencia - transición 220MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo del montaje Soporte superficial
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Número de parte bajo PBSS4160


Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND   NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND
ISP1104W PHILIPS   MPC860DECZQ50D4 FRRESCALE
IRLR2908PBF IRF   MAX993ESD+T MÁXIMA
A64 ST   MAX9120EXK+T MÁXIMA
TDA4665 PHILIPS   CY7C1360B-166AJXC CYPRESS
RT9231 RICHTEK   S29GL01GP11FFIR10 SPANSION
PW328-30L PIXELWO   TPS25200DRVR TI
PCA9543AD   NQ84010TNB QL85ES INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1 MICRÓN   YZ98223R02 TDK
LT1110CS8 LT   VLP8040T-680M TDK
LSI53C1030CO LSILOGIC   SPHE8202R SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA ERICSSON   IRLU024NPBF IR
WJLXT384E CORTINA   ICS307M-02ILFT ICS
ST4G3235BJR STM   BD13716S FAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPB TI   BCX55-16E6327 INFINEON
ADG451BR ADI   TLE42994E INFINEON
NTUD3169CZT5G EN   NJM2283M (TE2) JRC
TG83-1505NUTR HALO   BSS138N E6327 INFINEON
RC2010JK-07820RL YAGEO   AD5314ARMZ-REEL7 ADI
CD4572BE TI   1632-32.76MHZ NDK
74LVQ00TTR STM   SBC560 LITEON
Carro de la investigación 0