Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de poder del Mosfet de IRFPC60PBF 600V 16A a través del agujero TO-247-3

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Transistor de poder del Mosfet de IRFPC60PBF 600V 16A a través del agujero TO-247-3

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Número de modelo :IRFPC60PBF
Lugar del origen :CN
Cantidad de orden mínima :30 pedazos
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10Kpcs por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :Tubos plásticos
Condición de las mercancías :Las novedades
Situación de la parte :Activo
Sin plomo/Rohs :Denuncia
Función :MOSFET
Tipo del montaje :A través del agujero
Paquete :TO247
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Canal N 600V 16A (Tc) 280W (Tc) del TRANSISTOR del MOSFET de IRFPC60PBF a través del agujero TO-247-3

CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre

DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad. El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

FabricanteVishay Siliconix
Serie-
Empaquetado Tubo
Situación de la parteActivo
Tipo del FETCanal N
TecnologíaMOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C16A (Tc)
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido)10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @4V @ 250µA
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs210nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada3900pF @ 25V
Característica del FET-
Disipación de poder (máxima)280W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs400 mOhm @ 9.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo del montajeA través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedorTO-247-3
Paquete/casoTO-247-3

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND
19409-002ONSEMI MAX6351LSUT-TMÁXIMA
R1211N002B-TR-FRICOH KA78M15FAIRCHILD
LP61256GS-12ELITEMT CY24745OXCCYPRESS
KSD880YTUFAIRCHILD AT91SAM7SE512-CUATMEL/ADESTO
IDT5T93GL-061PFIIDT MINISMDC150F/12-2TYCO
S2202ASYNAPTICS EXC28CH900UPANASONIC
NM-SM50+MINI ECT315ECT
MAX1482CPDMÁXIMA 293D106X9016C2TE3VISHAY
WRM0204C-47RFINA VK05CFLTR-EST
TC74HCT245AFTOSHIBA DS12C887+DALLAS
LH28F160BJE-BTL90AGUDO BA15218FROHM
DS75150MNS 24C02C-I/SNMIC
BCT3661BELT-TRBROADCHIP 1812CS-102XJLCTYCO
TS5A3167DCKRTI TLC320AC02CFNRTI
SSM3K05FUTOSHIBA ATMEGA32L-8ACATMEL/ADESTO
PIC16LC773/SSMICROCHIP AD807A-155BRRL7ADI
AME8815BEC330AME TK6A60W, S4VXTOSHIBA
TA8041FGTOSHIBA BGS14AN16 E6327INFINEO
MAX233AEWPMÁXIMA NTE0305MCMURATA
ADUC848BCPZ62-5ADI ME6209A36PGMICRONE
Carro de la investigación 0