Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Tipo transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 del aumento del canal N del Mosfet

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Tipo transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 del aumento del canal N del Mosfet

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Número de modelo :RA45H4045MR-101
Lugar del origen :JP
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Condición :Producto a estrenar del 100%
Situación de la parte :Activo
Paquete :H2S
Situación sin plomo/situación de RoHS :Obediente
Potencia de salida :45W
tensión :12.5V
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R45H4045MR-101 400-450MHz 45W 12.5V, 3 efectúan el amperio. Para la RADIO MÓVIL

DESCRIPCIÓN

El RA45H4045MR es un módulo del amplificador del MOSFET del RF de 45 vatios para las radios móviles de 12,5 voltios que actúan en los 400 - a la gama 450-MHz. La batería se puede conectar directamente con el dren de los transistores del MOSFET del aumento-modo. Sin el voltaje de la puerta (VGG=0V), solamente una pequeña corriente de la salida fluye en el dren y la señal de entrada del RF atenúa DB hasta 60. El aumento actual de potencia de salida y del dren como el voltaje de la puerta aumenta. Con un voltaje de la puerta alrededor de aumentos actuales de 4V (mínimo), de potencia de salida y del dren substancialmente. El de potencia de salida nominal está disponible en 4.5V (típico) y 5V (máximo). En VGG=5V, la corriente típica de la puerta es 1 mA. Este módulo se diseña para la modulación no lineal de FM, pero se puede también utilizar para la modulación linear fijando la corriente quieta del dren con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.

CARACTERÍSTICAS

1, transistores del MOSFET del Aumento-modo (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>45W, el ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, gama de frecuencia de banda ancha: 400-450MHz • Control de baja potencia IGG=1mA actual (tipo) en VGG=5V

3, tamaño del módulo: 66 X 21 x 9,88 milímetros

4, tipo reverso del PIN • La operación linear es posible fijando el dren quieto actual con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada

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Tipo transistor 45W 12.5V RA45H4045MR-101 del aumento del canal N del Mosfet

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