Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
8 Años
Casa / Productos / Mosfet Power Transistor /

paquete del CASO 211-11 de la eficacia alta del transistor de poder más elevado de 80W MRF173 28V

Contacta
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
Contacta

paquete del CASO 211-11 de la eficacia alta del transistor de poder más elevado de 80W MRF173 28V

Preguntar último precio
Número de modelo :MRF173
Lugar del origen :ESTADOS UNIDOS
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Condición :Producto a estrenar del 100%
Situación de la parte :Activo
Paquete :CASO 211-11
Situación sin plomo/situación de RoHS :Obediente
Potencia de salida :80W
tensión :28V
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Transistor de poder del RF de los MOSFETs del modo del aumento del canal N MRF173

Diseñado para los usos comerciales y militares de banda ancha hasta 200 megaciclos de gama de frecuencia. El de alta potencia, la alta ganancia y el funcionamiento de banda ancha de estos dispositivos hacen que los transmisores de estado sólido posibles para FM difunden o las bandas que de frecuencias del canal de televisión.

1, funcionamiento garantizado en 150 megaciclos, 28 V: De = aumento de potencia de salida 80 W = eficacia del DB 11 (tipo del DB 13) el = 55% Min. (tipo del 60%)

2, resistencia termal baja • Aspereza probada en de potencia de salida clasificado

3, nitruro apaciguaron mueren por confiabilidad aumentada

4, figura de poco ruido — tipo en 2,0 A, 150 megaciclos del DB 1,5

5, estabilidad termal excelente; Adaptado para la clase una operación

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND   NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND
TC75S393F TOSHIBA   TC58TEG6D2HTA00YCJ TOSHIBA
NJM2162V-TE1 JRC   R2J30500LG BONOBO
MAX837EUS-T MÁXIMA   TA2111F TOSHIBA
ADUM5000WARWZ-RL ADI   ESD3V3S1B-02LS E6327 INFINEO
M81707FP MITSUBISHI   AD9561JR ADI
HMC2567LP5E HITITA   VNQ5E160KTR-E ST
DS1669S-10 MÁXIMA   DM9161E DAVICOM
CXM3024XR-T9 SONY   SP8K4 ROHM
AD8137YRZ ADI   SN65DSI84ZQER TI
PGA207UAE4 TI   PALCE20V8-15PC CY
FAN53555UC04X FAIRCHILD   HST-24011S GROUP-TE
BFR505T PHILIPS   PBSS5240V
APX393SG-13 DIODOS   WJLXT971ALE.A4 INPHI
OPA2343EA/2K5 TI   STTH8R06G-TR ST
NR6045T470M TAIYO   SI1034X-T1-GE3 VISHAY
MF-NSMF035-2 BOURNS   LTC1470CS8#TRPBF LINEAR
MC74ACT273MEL EN   DS21348G DALLAS
CS4373A-ISZ CIRRUSLOGIC   RKH0125AKF-1P1 RENESAS
CM1213A-02SR EN   TEA5991UK1S14TM ST
74ACTQ574SCX FAIRCHILD   Z16C3220VSC ZILOG

paquete del CASO 211-11 de la eficacia alta del transistor de poder más elevado de 80W MRF173 28V

Carro de la investigación 0