Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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45 estándar del IEC del transistor RA45H8994M1-101 del amperio de poder de la etapa del vatio 12.8V 2

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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45 estándar del IEC del transistor RA45H8994M1-101 del amperio de poder de la etapa del vatio 12.8V 2

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Número de modelo :RA45H8994M1-101
Lugar del origen :JP
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Condición :Producto a estrenar del 100%
Situación de la parte :Activo
Paquete :H2m
Situación sin plomo/situación de RoHS :Obediente
Potencia de salida :45W
tensión :12.8V
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RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 efectúan el transistor del amperio RF para la RADIO MÓVIL

DESCRIPCIÓN

El RA45H8994M1 es un módulo del amplificador del MOSFET del RF de 45 vatios para las radios móviles de 12,8 voltios que actúan en los 896 - a la gama 941-MHz. La batería se puede conectar directamente con el dren de los transistores del MOSFET del aumento-modo. Sin el voltaje 1 de la puerta y el voltaje 2 (VGG1=VGG2=0V) de la puerta, solamente una pequeña corriente de la salida fluye en el dren y la señal de salida nominal (Pout=45W) atenúa DB hasta 60. Cuando es decir 3.4V fijo, se suministra al voltaje 1 de la puerta, del dren el aumento actual de potencia de salida y como el voltaje 2 de la puerta aumenta. Del dren el aumento actual de potencia de salida y substancialmente con el voltaje 2 de la puerta alrededor de 0V (mínimo) bajo condición cuando el voltaje 1 de la puerta se mantiene 3.4V. El de potencia de salida nominal está disponible en el estado que VGG2 es 4V (típico) y 5V (máximo). A este punto, VGG1 tiene que ser mantenido 3.4V. En VGG1=3.4V y VGG2=5V, las corrientes típicas de la puerta son 0.4mA. Este módulo se diseña para la modulación no lineal de FM, pero se puede también utilizar para la modulación linear fijando la corriente quieta del dren con los voltajes de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.

CARACTERÍSTICAS

1, transistores del MOSFET del Aumento-modo (IDD≅0 @ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)

2, Pout>45W, el ηT>33% @VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW

3, gama de frecuencia de banda ancha: 896-941MHz • Estructura del casquillo del metal que lleva a cabo las mejoras de la radiación del RF simples

4, control de baja potencia IGG1+IGG2=0.4mA actual (tipo) @ VGG1=3.4V, VGG2=5V • Tamaño del módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

5, operación linear es posibles fijando el dren quieto actual con los voltajes de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.

45 estándar del IEC del transistor RA45H8994M1-101 del amperio de poder de la etapa del vatio 12.8V 2

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