Reemplazo RA60H4452M1-101 del transistor del amperio de la etapa de H2M 2 para la radio móvil

RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 efectúan el transistor de poder del amperio para la RADIO MÓVIL

DESCRIPCIÓN

El RA60H4452M1 es un módulo del amplificador del MOSFET del RF de 60 vatios para las radios móviles de 12,5 voltios que actúan en los 440 - a la gama 520-MHz. La batería se puede conectar directamente con el dren de los transistores del MOSFET del aumento-modo. Sin el voltaje de la puerta (VGG=0V), solamente una pequeña corriente de la salida fluye en el dren y la señal de salida nominal (Pout=60W) atenúa DB hasta 60. Del dren el aumento actual de potencia de salida y como el voltaje de la puerta aumenta. Del dren el aumento actual de potencia de salida y substancialmente con el voltaje de la puerta alrededor de 0V (mínimo). El de potencia de salida nominal está disponible en el estado que VGG es 4V (típico) y 5V (máximo). En VGG=5V, las corrientes típicas de la puerta son el módulo 5mA.This se diseñan para la modulación no lineal de FM, pero se pueden también utilizar para la modulación linear fijando la corriente quieta del dren con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada

CARACTERÍSTICAS

1, transistores del MOSFET del Aumento-modo (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

2, Pout>60W, el ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

3, gama de frecuencia de banda ancha: 440-520MHz

4, estructura del escudo del metal que lleva a cabo las mejoras de la radiación falsa simples

5, control de baja potencia IGG=5mA actual (tipo) @ VGG=5V

6, tamaño del módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

7, operación linear es posibles fijando el dren quieto actual con los voltajes de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.