Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Koben

Manufacturer from China
Miembro del sitio
9 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Integrated Circuit IC Chip /

Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P

Categorías de Producto

Chip CI del circuito integrado

 [781]

Chip CI programable

 [38]

chip CI electrónico

 [100]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [46]

transistor de poder del mosfet

 [67]

Condensador de fines generales

 [35]

Módulo de alimentación IGBT

 [22]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [11]

Oscilador superficial del soporte

 [14]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [5]

Varistor

 [4]
Contacta
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
Ver detalles de contacto
Contacta
China Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P wholesale
  • China Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P wholesale

Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P
Preguntar último precio
Número de modelo :FGA25N120ANTD
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :El empaquetado más pequeño/nos entra en contacto con
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 25PCS/Standard
Condición :new&original
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ HK fijan, DHL, UPS, TNT, TNT o el ccsme
Garantía :180 días
más detalles :Contáctenos
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

FGA25N120ANTD IGBT NPT y foso 1200V 50A 312W a través del agujero TO-3P

Tipo de IGBT NPT y foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 50A
Actual - el colector pulsó (el Icm) 90A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
Poder - máximo 312W
Energía de la transferencia 4.1mJ (encendido), 960µJ (apagado)
Tipo de la entrada Estándar
Carga de la puerta 200nC
TD (con./desc.) @ 25°C 50ns/190ns
Condición de prueba 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 350ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
AP2181WG-7 DIODOS FDV304P FAIRCHILD
TPS79801QDGNRQ1 TI AT25040B-SSHL-B ATMEL/ADESTO
MB89185PF-G-191-BND FUJITSU TK35E08N1 TOSHIBA
CNY17F-3 EVERLIGHT TAJB475K016R AVX
SN74CBT3306DRG4 TI MM9611-UDA NS
LQM2HPN4R7MG0L MURATA M62007FP RENESAS
H5TQ2G43BFR-H9C HYNIX BA05CC0WFP-E2 ROHM
ATA6613P-PLQW ATMEL/ADESTO JMH330APC1-QGAC JMICRON
AT28C256-20FM/883 ATMEL/ADESTO IRF3415STRLPBF IR
AD8602DRMZ ADI HAT1038RJ-EL HITACHI
TOP264KG PODER WPCS4210C-A1-900341 CORTINA
SENK84 SAMSUNG P8259A-2 INTEL
RT8800PQV RICHTEK MAX6315US26D4+T MÁXIMA
MC74HC132ADTG ON-SEMISCG K5W1213ACC-AK75 SAMSUNG
EP3C25E144I7N ALTERA DS1302ZN+ MÁXIMA
D17242 NEC PBSS5250X
69178A1-002 LSI 74VHCT244AMX FSC
LM3262TMX/NOPB TI V48C28T150BG VICOR
BZD27C15P-GS18 VISHAY TCD50A1D TOSHIBA
WSL-2512-R016-1R86 VISHAY DS90C402MX NS

Etiquetas de productos:

in5408 diode equivalent

1n5400 diode specifications

datasheet 7 segment common anode
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4