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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P

Categorías de Producto

Chip CI del circuito integrado

 [1016]

Chip CI programable

 [57]

chip CI electrónico

 [139]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [56]

transistor de poder del mosfet

 [86]

Condensador de fines generales

 [48]

Módulo de alimentación IGBT

 [26]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [14]

Oscilador superficial del soporte

 [16]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [6]

Varistor

 [4]
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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P wholesale
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Foso 1200V 50A 312W de los componentes IGBT NPT del circuito integrado de FGA25N120ANTD a través del agujero TO-3P
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Número de modelo :FGA25N120ANTD
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :El empaquetado más pequeño/nos entra en contacto con
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 25PCS/Standard
Condición :new&original
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ HK fijan, DHL, UPS, TNT, TNT o el ccsme
Garantía :180 días
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FGA25N120ANTD IGBT NPT y foso 1200V 50A 312W a través del agujero TO-3P

Tipo de IGBT NPT y foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 50A
Actual - el colector pulsó (el Icm) 90A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
Poder - máximo 312W
Energía de la transferencia 4.1mJ (encendido), 960µJ (apagado)
Tipo de la entrada Estándar
Carga de la puerta 200nC
TD (con./desc.) @ 25°C 50ns/190ns
Condición de prueba 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 350ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C

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