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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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A través de MOSFET 900V 6.7A 190W del canal N del chip CI IRFPF50PBF del circuito integrado del agujero TO-247-3

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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China A través de MOSFET 900V 6.7A 190W del canal N del chip CI IRFPF50PBF del circuito integrado del agujero TO-247-3 wholesale
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A través de MOSFET 900V 6.7A 190W del canal N del chip CI IRFPF50PBF del circuito integrado del agujero TO-247-3
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Número de modelo :IRFPF50PBF
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 50PCS/Standard
Tipo del FET :Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :900V
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C
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