Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Chip CI 512Kb 64K X del circuito integrado de la memoria de EEPROM ² C 1MHz 550ns 8 SOIC AT24C512C-SSHD-T de 8 I

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Chip CI 512Kb 64K X del circuito integrado de la memoria de EEPROM ² C 1MHz 550ns 8 SOIC AT24C512C-SSHD-T de 8 I

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Número de modelo :AT24C512C-SSHD-T
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 4000PCS/Standard
Tipo de la memoria :Permanente
frecuencia de reloj :1MHZ
Tiempo de acceso :550ns
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C
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Memoria IC 512Kb (64K x de AT24C512C-SSHD-T EEPROM 8) yo ² C 1MHz 550ns 8-SOIC

Descripción

AT24C512C proporciona 524.288 pedazos de serial eléctricamente borrables y

La memoria microprogramable (EEPROM) organizó como 65.536 palabras de ocho pedazos

cada uno. La característica cascadable del dispositivo permite que hasta ocho dispositivos compartan a

autobús de dos hilos común. El dispositivo se optimiza para el uso en mucho industrial y comercial

usos donde la operación de baja potencia y de baja tensión es esencial. Los dispositivos son

disponible en la ventaja JEDEC SOIC, 8 ventaja EIAJ SOIC, 8 ventaja TSSOP del ahorro de espacio 8,

8-pad UDFN, y 8 paquetes de la bola VFBGA. Además, la familia entera está disponible adentro

(2.5V a 5.5V) versiones 1.7V (1.7V a 3.6V) y 2.5V

Tipo de la memoria Permanente
Formato de la memoria EEPROM
Tecnología EEPROM
Tamaño de la memoria 512Kb (64K x 8)
Frecuencia de reloj 1MHz
Escriba la duración de ciclo - palabra, página 5ms
Tiempo de acceso 550ns
Interfaz de la memoria ² C DE I
Voltaje - fuente 2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C

 

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