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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Casa / Productos / Mosfet Power Transistor / Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V /

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Chip CI del circuito integrado

 [1016]

Chip CI programable

 [57]

chip CI electrónico

 [139]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [56]

transistor de poder del mosfet

 [86]

Condensador de fines generales

 [48]

Módulo de alimentación IGBT

 [26]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [14]

Oscilador superficial del soporte

 [16]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [6]

Varistor

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Ciudad:shenzhen
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Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V
Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V
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RA30H1317M Power Mosfet Transistor para el uso de radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIPCIÓN El RA30H1317M es un módulo del amplificador del MOSFET ...
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g9004 52010 híbrido de inversor Transistor de potencia 2n3055 Batería hubsan x4

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