Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Voltaje de saturación bajo del módulo de poder de la serie 320W IGBT de N 2MBI75N-060

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Voltaje de saturación bajo del módulo de poder de la serie 320W IGBT de N 2MBI75N-060

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Número de modelo :2MBI75N-060
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Lugar del origen :JP
Voltaje del Colector-emisor :600V
Voltaje de puerta-emisor :20V
Disipación de poder máxima :320w
Voltaje del aislamiento :2500V
Material :Metal
Tipo de conexión :Tornillo
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MÓDULO 600V 75A del DIODO del PODER de 2MBI75N-060 IGBT

 

MÓDULO de IGBT (serie de N)
n ofrece
• Cuadrado RBSOA
• Voltaje de saturación bajo
• Menos disipación de poder total
• Característica mejorada del FWD
• Inductancia perdida interna minimizada
• Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (corriente clasificada de ~3 veces)
usos de n
• Transferencia del poder más elevado
• A.C. Motor Controls
• D.C. Motor Controls
• Sistema de alimentación ininterrumpida

 

 

 

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND   NÚMERO DE PARTE MFG/BRAND
MT1389FE/BCS2L MIT   MT5330AKR MST
MAX3096CSE+T MÁXIMA   BA2901SKN-E2 ROHM
SMM665CFCT-1438L CUMBRE   MSM-7227A-1-576NSP-TR-01-0-AA QUALCOMM
PL611S-02-F10TC-R PHASELINK   IT8510TE-GXA ITE
PL611-01-F93TC-R PHASELIN   IS62WV51216BLL-55TLI ISSI
LM324AD TI   BCM20730A1KML2G BROADCOM
ICL7106CPL-3 MÁXIMA   AT8989UP ATAN
AM27C512-150DI AMD   0466002.NRHF LITTELFUSE
RP1364AGQW RICHPOWE   UPD78F0034BS NEC
L2A0788 LSI   TAJA474K035RNJ AVX
X5045S8 INTERSIL   ZR36966ELCG ZORAN
TLP293 (V4-GRTL TOSHIBA   PA28F016S3-120 3.3V INTEL
SME1603 SOL   NG80386DX33 INTEL
MC56F8037VLH FREESCA   XC6204B282MRN TOREX
MAX920ESA+T MÁXIMA   SAA6713H/V1 PHI
LM5070MTCX-50/NOPB NSC   QCA6174A-1-172BWLNSR-TR-OB-0 QUALCOMM
DIR9001IPWRQ1 TI   74LVC2G86DC NXP
S5L9286F02-T0 SAMSUNG   24FC128-I/P MICROCHIP
CHA2069-99F/00 UMS   TFM-107-02-L-D-K-TR SAMTEC
AP1086K50LA ANACHIP   SB9220 SIBEAM

Voltaje de saturación bajo del módulo de poder de la serie 320W IGBT de N 2MBI75N-060 

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