Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Los chasis montan el canal N 500V SOT227B IXFN48N50 del módulo de poder del Mosfet

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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Los chasis montan el canal N 500V SOT227B IXFN48N50 del módulo de poder del Mosfet

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Número de modelo :IXFN48N50
Lugar del origen :CN
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :2000pcs por año
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :Embalaje estándar de la fábrica
Voltaje :500V
Situación de la parte :Activo
Montaje del tipo :Montaje en chasis
Paquete :SOT-227B
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Situación de la parte Activo  
Tipo del FET Canal N  
Tecnología MOSFET (óxido de metal)  
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 500V  
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 48A (Tc)  
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 8mA  
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 270nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±20V  
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 8400pF @ 25V  
Característica del FET -  
Disipación de poder (máxima) 520W (Tc)  
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 100 mOhm @ 500mA, 10V  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Montaje del tipo Soporte del chasis  
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B  
Paquete/caso SOT-227-4, miniBLOC
Carro de la investigación 0