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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Alta configuración del puente del módulo de poder del rendimiento IGBT media 2270W 1mA

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Provincia / Estado:guangdong
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China Alta configuración del puente del módulo de poder del rendimiento IGBT media 2270W 1mA wholesale
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Alta configuración del puente del módulo de poder del rendimiento IGBT media 2270W 1mA
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Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :1000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-3 días laborables
Detalles de empaquetado :Embalaje estándar de la fábrica
Situación de la parte :Activo
Actual - colector (Ic) :300A
Actual - atajo del colector :1mA
Paquete del dispositivo del proveedor :Módulo
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Situación de la parte Activo  
Tipo de IGBT -  
Configuración Medio puente  
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V  
Actual - colector (Ic) (máximo) 300A  
Poder - máximo 2270W  
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 300A  
Actual - atajo del colector (máximo) 1mA  
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce 30nF @ 10V  
Entrada Estándar  
Termistor de NTC No  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Montaje del tipo Soporte del chasis  
Paquete/caso Módulo  
Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
Etiquetas de productos:

half bridge igbt module

high power igbt module

power module igbt
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