Categoría :Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET :-
Vgs(th) (máximo) @ Id :2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :6 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :Las emisiones de gases de efecto invernadero de los vehículos de combustión interna no deben exceder
Tipo de FET :P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :4.5V y 10V
paquete :Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :40 V
Vgs (máximo) :± 20 V
Estado del producto :Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :450 pF @ 20 V
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Serie :Automotriz, AEC-Q100
Paquete de dispositivos del proveedor :Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr. :Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :1.5A (TA)
Disipación de poder (máxima) :480mW (TA), 6.25W (Tc)
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base :El PMV250
Descripción :MOSFET P-CH 40V 1.5A hasta 236AB
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