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FET de RF y MOSFET

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Ciudad:hong kong
País/Región:china
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 FET de RF y MOSFET

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Mosfet RF 50 V 10 mA 512 MHz 25,9 dB 25 W NI-360
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Se aplicará el procedimiento siguiente:

RF Mosfet 12,5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W Potencia SO-10RF (plomo formado)
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CIELO65050-372LF

RF Mosfet 3 V 20 mA 2.4GHz 15.5 dB 10.5 dBm SC-70-4
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2SK3557-7-TB-E

Mosfet RF 5 V 1 mA 3 CP
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MW6S004NT1

RF Mosfet 28 V 50 mA 1.96GHz 18dB 4W PLD-1 también se utiliza para el control de la velocidad.5
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MW6S010GNR1

RF Mosfet 28 V 125 mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 Oro
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MRFE6VP61K25HR6

Mosfet RF 50 V 100 mA 230 MHz 24 dB 1250 W NI-1230
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Se aplicará el método de clasificación de los productos.

RF Mosfet 50 V 10 mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2 Oro
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Mosfet RF 12,5 V 50 mA 500 MHz 17 dB 3 W 10-PowerSO
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AFT27S010NT1 y sus componentes

Mosfet RF 28 V 90 mA 2,17 GHz 21,7 dB 1,26 W PLD-1,5 W
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