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Nuestros componentes de la implantación de ion se hacen del molibdeno y del tungsteno debido a la combinación ideal de estos materiales de resistencia a la corrosión, de fuerza, y de alta conductividad termal.
Las temperaturas del °C hasta 1400, de los campos electromagnéticos fuertes, de los gases de proceso agresivos y de las fuerzas mecánicas potentes causan los problemas para los materiales convencionales. Pero no para nuestros productos. Nuestros componentes a prueba de calor hechos del molibdeno, del tungsteno, del grafito o de la cerámica sobresalen debido su combinación ideal de resistencia a la corrosión, de fuerza material, de alta conductividad termal y de pureza absoluta. 100 o más componentes de JX están en el trabajo en cada trayectoria de haz. Se aseguran de que los iones estén generados eficientemente y dirigidos exacto y libremente de impurezas a lo largo de la trayectoria de haz a la oblea.
La implantación de ion es un proceso importante en la fabricación de semiconductores. La mayoría de la parte importante de un sistema implantado es la trayectoria de haz. Aquí, los iones se generan, se concentran, se aceleran, y se apuntan hacia la oblea.
Nuestros productos.
Cámaras (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Filamentos (tungsteno y aleaciones del tungsteno)
Rajas del arco (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Tenedores (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Cátodos (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
Recambios (tungsteno, molibdeno y aleaciones)
* utilizado para el proceso de la implantación de ion.
* utilizado para fabricar los semiconductores.
* utilizado en el metal que acaba para el endurecimiento del acero de herramienta y el acabamiento superficial.
* utilizado en el haz de ion que se mezcla para alcanzar el interfaz calificado y para fortalecer la adherencia entre el material inmiscible.