Detergente industrial 1.01-1.25 de la rebanada de la limpieza química/de silicio de la espuma baja
Introducción industrial de la limpieza química
La pureza de las superficies de la oblea es un requisito esencial para la fabricación acertada los circuitos del silicio del VLSI y de ULSI. La química de la limpieza de la oblea tiene seguía siendo esencialmente sin cambios en los últimos 25 años y se basa en las soluciones alcalinas y ácidas calientes del peróxido de hidrógeno, un proceso conocido como “RCA estándar limpia.” Éste sigue siendo el método primario usado en la industria. Qué ha cambiado es su puesta en práctica con el equipo optimizado: de la inmersión simple a la rociadura centrífuga, a las técnicas megasonic, y al proceso incluido del sistema que permiten retiro simultáneo de las películas y de las partículas del contaminante. Las mejoras en la sequedad de la oblea por medio del isopropanol se vaporizan o por “sacar lento del ‐” el agua desionizada caliente están siendo investigados. Varios métodos de limpieza alternativos también se están probando, incluyendo soluciones de la colina, la aguafuerte química del vapor, y tratamientos de UV/ozone.
Primer paso: Solvente limpio
Los solventes se utilizan para quitar con éxito los aceites y los residuos orgánicos de la superficie de las obleas de silicio. Mientras que el solvente quita los contaminantes, también dejan su propio residuo en la superficie de la oblea. Debido a ese, un método del dos-solvente se utiliza para asegurarse de que la oblea es tan limpia como sea posible.
Segundo paso: RCA-1 limpian
Cualquier residuo que sea de sobra del solvente se toma cuidado de con RCA limpio. RCA limpio oxida el silicio, así proporcionando una capa protectora fina de óxido a la superficie de la oblea.
Tercer paso: Inmersión del ácido hidrofluórico
El paso final es una inmersión del ácido hidrofluórico. Una inmersión del HF se utiliza para quitar el dióxido de silicio de la superficie de la oblea de silicio. El HF es una sustancia química altamente peligrosa, así que es importante que este paso esté hecho mientras que lleva el engranaje protector tal como guantes y gafas pesados.
Parámetro químico industrial de CleaningTechnical
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clasificación
proyecto
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2521 |
Pruebe el estándar |
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| Aspecto |
Descolorido al líquido amarillento |
visualización |
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| Peso específico |
1.01-1.25 |
densímetro |
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| pH |
12.0-14.0 |
Instrumento del pH |
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| alcalinidad libre (piont) |
≧13.5mg |
CYFC |
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Instrucciones industriales de la limpieza química
1) ponga el agua pura en el tanque de la limpieza hasta de tres cuartos, después, añada el agente en la concentración -5% del 3%, añada el agua hasta el nivel de funcionamiento, último, caliente la solución del baño hasta temperatura de trabajo.
2) necesite cambiar la solución del baño totalmente después de cantidad determinada de desengrase de la rebanada de silicio.
3) reduzca la hora expuesta en aire de evitar la oxidación.
4) grado de trabajo de la temperatura 50-65, tiempo de la disposición: 2-5minutes.
Notas
1) la barra solar no puede tocar el agua, la necesidad de sumergir en soliquiod o el agente de desengrase si no puede limpiar a tiempo.
2) necesite la barra solar de la disposición a tiempo tan pronto como entrara en proceso de desengrase para evitar seco al aire.
3) mantenga la barra solar mojada al deguming para evitar seco al aire.
4) para evitar el fragmento, necesite cerrar el interruptor de la burbuja del tanque no1 y no2 cuando el desengrase ultrasónico, después, gira el interruptor después de fijar.
5) necesite cambiar no5.6 y el tanque 7 después de un desengrasar del ciclo.
6) la rebanada de silicio no puede ser tocada. Los trabajadores deben trabajar con los guantes para evitar la huella dactilar.
7)para alcanzar la liquidación, necesite rociar la rebanada de silicio por lo menos 30miniuts antes de descrudado.
6. Adiciones
1) el embalar: 20kg/carton (2kg/bottle), 25kg/plastic barril, 1000kg/barrel
2) tiempo de la validez: un año
