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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI4472DY-T1-GE3 solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI4472DY-T1-GE3 solos wholesale
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SI4472DY-T1-GE3 solos
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Número de parte :SI4472DY-T1-GE3
Fabricante :Vishay Siliconix
Descripción :MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones SI4472DY-T1-GE3

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 150V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7.7A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1735pF @ 50V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.1W (TA), 5.9W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 45 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SI4472DY-T1-GE3

Detección

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