Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solos

Categorías de Producto

circuitos integrados ics

 [2964]

Chip IC de memoria

 [2994]

Aislador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [2717]

Transistor de efecto de campo

 [1605]

Módulo de potencia IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [300]

Condensador de fines generales

 [40]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [112]

Fusibles de la protección de circuito

 [186]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solos wholesale
  • China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solos wholesale

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solos
Preguntar último precio
Número de parte :STD2NK60Z-1
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :SuperMESH™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones STD2NK60Z-1

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 1.4A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 170pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 45W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8 ohmios @ 700mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor Yo-Pak
Paquete/caso Ventajas del cortocircuito TO-251-3, IPak, TO-251AA
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STD2NK60Z-1

Detección

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD2NK60Z-1 solos

Etiquetas de productos:

mos field effect transistor

metal oxide semiconductor field effect transistor

junction field effect transistor
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4