KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Contacta

3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

Preguntar último precio
Número de parte :3SK291 (TE85L, F)
Fabricante :Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción :MOSFET N-CH SMQ
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

3SK291 (TE85L, F) especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor Puerta dual del canal N
Frecuencia 800MHz
Aumento 22.5dB
Voltaje - prueba 6V
Grado actual 30mA
Figura de ruido 2.5dB
Actual - prueba 10mA
Poder - salida -
Voltaje - clasificado 12.5V
Paquete/caso SC-61AA
Paquete del dispositivo del proveedor SMQ
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

3SK291 (TE85L, F) empaquetado

Detección

3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo3SK291 (TE85L, F) microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

Carro de la investigación 0