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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7507PBF

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China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7507PBF wholesale
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7507PBF
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Número de parte :IRF7507PBF
Fabricante :Infineon Technologies
Descripción :MOSFET N/P-CH 20V DUAL MICRO-8
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :HEXFET®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de IRF7507PBF

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.4A, 1.7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 700mV @ 250µA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 260pF @ 15V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento -
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", anchura de 3.00m m)
Paquete del dispositivo del proveedor Micro8™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7507PBF

Detección

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