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| Situación de la parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N 2 (dual) |
| Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica, impulsión 2.5V |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 30V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 100mA (TA) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 3,2 ohmios @ 10mA, 4V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 100µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | - |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 15.1pF @ 3V |
| Poder - máximo | 300mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | US6 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |


