Circuitos integrados análogos IR2103PBF PDIP-8 del Ic de la gestión del poder de los ICs del aislador
Los IR2103 son MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Características del App

Canal de flotación diseñado para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
Cierre del Undervoltage para ambos canales
lógica de la entrada 3.3V y 5V compatible
Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
Tierra de la lógica y del poder +/- compensación 5V.
Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
Fuente de la salida/capacidad actual 1.4A/1.8A del fregadero
SIN PLOMO también disponible (PbF)

El IR 2181(4) (s) es MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado independiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. ¿Favorable? ¿HVIC prietary y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten el rugge? construcción monolítica dized. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. ¿Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz mínima del conductor? conducción. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Datos básicos

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Conductores de la puerta
RoHS:	Detalles
Producto:	IGBT, conductores de la puerta del MOSFET
Tipo:	Alto-lado, Bajo-lado
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOIC-14
Número de conductores:	Conductor 2
Número de salidas:	Salida 2
Corriente de salida:	1,8 A
Voltaje de fuente - minuto:	10 V
Voltaje de fuente - máximo:	20 V
Tiempo de subida:	60 ns
Tiempo de caída:	35 ns
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 125 C
Empaquetado:	Tubo
Marca:	Infineon Technologies
Características:	Independiente
Altura:	1,5 milímetros
Longitud:	8,74 milímetros
Tipo de la lógica:	CMOS, TTL
Tiempo de retraso máximo de la vuelta-Apagado:	220 ns
Tiempo de retraso de abertura máximo:	180 ns
Humedad sensible:	Sí
Voltaje de fuente de funcionamiento:	10 V a 20 V
Paladio - disipación de poder:	1000 mW
Tipo de producto:	Conductores de la puerta
Retraso de propagación - máximo:	330 ns
	el an o 80
Subcategoría:	PMIC - Gestión ICs del poder
Tecnología:	Si
Anchura:	3,99 milímetros
Parte # alias:	IR21814SPBF SP001536712
Peso de unidad:	0,057144 onzas

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA

Uso

Conductores del RGB o de RGBA LED
Información de estado del LED
Pantallas LED
Contraluces del LCD
Contraluces del telclado numérico para los teléfonos móviles o los dispositivos de bolsillo
Motores de BLDC
Motores síncronos trifásicos del imán permanente
Inversores
Medios conductores del puente
Sistemas de control robóticos
Dispositivos
Infraestructura de la rejilla
EPOS • Theate casero
Sistemas eléctricos distribuidos
Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red

Proceso de la orden

Añada las piezas a la forma del RFQ	Someta el RFQ	Contestamos en el plazo de 24 horas
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