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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound

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Chip CI de la memoria

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Transistor de efecto de campo

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Módulo de poder de IGBT

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Triodo del diodo

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Los conectores interconectan

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China Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound wholesale
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Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound
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Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
Número de parte :VLS252012HBX-1R0M-1
Fabricante :Corporación TDK
Descripción :IND FIJADO 1UH 3.4A 56 MOHM SMD
Categoría :Inductores fijos
Familia :Inductores fijos
Serie :VLS-HBX-1
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Bobinas de obstrucciones pasivas de los inductores de los componentes del inductor del poder de VLS252012HBX-1R0M-1 SMD

Especificaciones VLS252012HBX-1R0M-1

Situación de la parte Activo
Tipo Wirewound
Material - base Metal
Inductancia 1µH
Tolerancia el ±20%
Grado actual 3.4A
Actual - saturación 3A
El proteger Protegido
Resistencia de DC (DCR) mOhm 56 máximo
Q @ Freq -
Frecuencia - uno mismo resonante -
Grados -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C
Frecuencia - prueba 1MHz
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 1008 (2520 métricos)
Paquete del dispositivo del proveedor 1008 (2520 métricos)
Tamaño/dimensión 0,098" L x 0,079" W (2.50m m x 2.00m m)
Altura - asentada (máximo) 0,047" (1.20m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.
 

Empaquetado VLS252012HBX-1R0M-1

Detección

Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor WirewoundInductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor WirewoundInductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor WirewoundInductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound

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smd inductor code

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