Categorías de Producto

circuitos integrados ics

[2722]

Chip IC de memoria

[2976]

Aislador análogo IC

[2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

[2668]

Transistor de efecto de campo

[1586]

Módulo de potencia IGBT

[963]

Triodo del diodo

[291]

Condensador de fines generales

[40]

Los conectores interconectan

[83]

Inductor del poder de SMD

[96]

Componente de la retransmisión

[112]

Fusibles de la protección de circuito

[178]

Contacta

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

País/Región:china

Persona de contacto:MissVicky

Ver detalles de contacto

Contacta

China Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG wholesale

Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG

Name: Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG
Brand: onsemi
Price: 1 USD

Preguntar último precio

Brand Name :onsemi

Model Number :NGTB40N120SWG

MOQ :Negotiable

Price :Negotiable

Payment Terms :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram

Supply Ability :Available Quantity 30000 Pieces

Delivery Time :Negotiable

Product Model :NGTB40N120SWG

Supplier Package :TO-247-3

Brief Description :Insulated Gate Bipolar Transistor

Product Category :IGBT Power Module

Application Areas :Welding

Date Of Manufacture :Within A Year

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Gama de productos

Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores NGTB40N120SWG del módulo de poder de Igbt

Características del App

TJmax = 175°C • Diodo reverso rápido suave de la recuperación
Optimizado para la transferencia de alta velocidad
10 nosotros cortocircuitar capacidad
Éstos son dispositivos de Pb−Free

Datos básicos

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores de IGBT
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Paquete/caso:	TO-247-3
Montaje de estilo:	A través del agujero
Configuración:	Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1,2 kilovoltios
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	2 V
Voltaje máximo del emisor de la puerta:	20 V
Corriente de colector continua en 25 C:	80 A
Paladio - disipación de poder:	535 W
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Empaquetado:	Tubo
Marca:	onsemi
Corriente de colector continua Ic máxima:	40 A
Corriente de la salida del Puerta-emisor:	nA 200
Tipo de producto:	Transistores de IGBT
	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de unidad:	1,340411 onzas

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA

Transistores NGTB40N120SWG.pdf del módulo de poder de IGBT

Uso

Ampliamente utilizado en la etapa, concierto, comunicación de la red, smartphones hace tabletas la dongle de las cámaras de los adaptadores de los cuadernos de los ordenadores portátiles

Proceso de la orden

Añada las piezas a la forma del RFQ	Someta el RFQ	Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden	Pago	Nave hacia fuera su orden

Chip Diagram

Etiquetas de productos:

inverter igbt mma welding

igbt inverter dc tig welder

inverter welding mma250

Carro de la investigación 0