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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA40H120DF2 IGBT solo

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China Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA40H120DF2 IGBT solo wholesale
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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA40H120DF2 IGBT solo
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Número de parte :STGWA40H120DF2
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :PAQUETE DE LA PUERTA IGBT TO247 DEL FOSO
Categoría :Transistores - IGBTs - solos
Familia :Transistores - IGBTs - solos
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones STGWA40H120DF2

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 1200V
Actual - colector (Ic) (máximo) 80A
Actual - colector pulsado (Icm) 160A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A
Poder - máximo 468W
Energía que cambia 1mJ (encendido), 1.32mJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 158nC
TD (con./desc.) @ 25°C 18ns/152ns
Condición de prueba 600V, 40A, 10 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 488ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STGWA40H120DF2

Detección

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Etiquetas de productos:

power module igbt

power igbt datasheet

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