Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / IGBT Power Module /

Transistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT solo

Categorías de Producto

circuitos integrados ics

 [2722]

Chip IC de memoria

 [2976]

Aislador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [2668]

Transistor de efecto de campo

 [1586]

Módulo de potencia IGBT

 [963]

Triodo del diodo

 [291]

Condensador de fines generales

 [40]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [96]

Componente de la retransmisión

 [112]

Fusibles de la protección de circuito

 [178]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China Transistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT solo wholesale
  • China Transistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT solo wholesale

Transistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT solo
Preguntar último precio
Número de parte :IGW75N60TFKSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Descripción :IGBT 600V 150A 428W TO247-3
Categoría :Transistores - IGBTs - solos
Familia :Transistores - IGBTs - solos
Serie :TrenchStop®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones IGW75N60TFKSA1

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 150A
Actual - colector pulsado (Icm) 225A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Poder - máximo 428W
Energía que cambia 4.5mJ
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 470nC
TD (con./desc.) @ 25°C 33ns/330ns
Condición de prueba 400V, 75A, 5 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado IGW75N60TFKSA1

Detección

Transistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT soloTransistores IGBTs del módulo de poder de IGW75N60TFKSA1 IGBT solo

Etiquetas de productos:

power module igbt

power igbt datasheet

mosfet igbt
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4