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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solos wholesale
  • China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solos wholesale

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solos
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Número de parte :DMN55D0UTQ-7
Fabricante :Diodos incorporados
Descripción :MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones DMN55D0UTQ-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 160mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 25pF @ 10V
Vgs (máximo) ±12V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 200mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 4 ohmios @ 100mA, 4V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-523
Paquete/caso SOT-523
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN55D0UTQ-7

Detección

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solosMOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN55D0UTQ-7 solos

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function of npn transistor

npn transistor function

transistor configuration
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