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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF31N65M5 solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF31N65M5 solos wholesale
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF31N65M5 solos
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Número de parte :STF31N65M5
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :MDmesh™ V
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones STF31N65M5

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 22A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 816pF @ 100V
Vgs (máximo) ±25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 30W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 148 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete/caso Paquete completo TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STF31N65M5

Detección

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