KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDY101PZ solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDY101PZ solos

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Número de parte :FDY101PZ
Fabricante :Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción :MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :PowerTrench®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de FDY101PZ

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 150mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 100pF @ 10V
Vgs (máximo) ±8V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 625mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8 ohmios @ 150mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete/caso SC-89, SOT-490
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDY101PZ

Detección

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