KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQ

Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Contacta

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQ

Preguntar último precio
Número de parte :BLF8G20LS-140GVQ
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Especificaciones de BLF8G20LS-140GVQ

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.81GHz ~ 1.88GHz
Aumento 18.5dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 900mA
Poder - salida 35W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-1244B
Paquete del dispositivo del proveedor SOT1244B
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF8G20LS-140GVQ

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQMicroprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQMicroprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQMicroprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF8G20LS-140GVQ

Carro de la investigación 0