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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7755GTRPBF

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China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7755GTRPBF wholesale
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7755GTRPBF
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Número de parte :IRF7755GTRPBF
Fabricante :Infineon Technologies
Descripción :MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :HEXFET®
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de IRF7755GTRPBF

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.9A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1090pF @ 15V
Poder - máximo 1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-TSSOP (0,173", anchura de 4.40m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7755GTRPBF

Detección

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