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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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SSM6N35FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM

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China SSM6N35FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM wholesale
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SSM6N35FE, órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo del LM
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Número de parte :SSM6N35FE, LM
Fabricante :Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción :MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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SSM6N35FE, especificaciones del LM

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 180mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3 ohmios @ 50mA, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 9.5pF @ 3V
Poder - máximo 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor ES6 (1.6x1.6)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

SSM6N35FE, empaquetado del LM

Detección

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Etiquetas de productos:

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