KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-7-F

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País/Región:china
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-7-F

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Número de parte :2N7002DW-7-F
Fabricante :Diodos incorporados
Descripción :MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones 2N7002DW-7-F

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 230mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 7,5 ohmios @ 50mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 50pF @ 25V
Poder - máximo 310mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado 2N7002DW-7-F

Detección

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