Productos proveedores Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Field Effect Transistor /

BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

Categorías de Producto

circuitos integrados ics

 [2964]

Chip IC de memoria

 [2994]

Aislador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [2717]

Transistor de efecto de campo

 [1605]

Módulo de potencia IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [300]

Condensador de fines generales

 [40]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [112]

Fusibles de la protección de circuito

 [186]
Contacta
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
Ver detalles de contacto
Contacta
China BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo wholesale
  • China BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo wholesale

BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo
Preguntar último precio
Número de parte :BUK9K29-100E, 115
Fabricante :Nexperia los USA Inc.
Descripción :MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :Automotriz, AEC-Q101, TrenchMOS™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

BUK9K29-100E, 115 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 30A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 27 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 54nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3491pF @ 25V
Poder - máximo 68W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56D
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BUK9K29-100E, 115 que empaquetan

Detección

BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campoBUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campoBUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campoBUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

Etiquetas de productos:

npn transistor array

darlington transistor array

darlington array ic
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4