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DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (encendido)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo
ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
PROPIEDADES DEL PRODUCTO
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Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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100 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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700mA (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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700mOhm @ 1.5A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,9 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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138 PF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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625mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número bajo del producto
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ZXMN10
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