CGH21120F

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :84 V

Paquete :la bandeja

Serie :Gan, ¿ qué haces?

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :440162

Voltaje - prueba :El número de unidades

El Sr. :Wolfspeed, Inc.

Frecuencia :1.8 GHz ~ 2.3 GHz

Ganancias :15 dB

Envase / estuche :440162

Actual - prueba :500 mA

Potencia - Producción :120 W

Tecnología :HEMT

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :CGH21120

Descripción :120W, GAN HEMT, 28V, 1,8-2,1 GHz, y también puede ser utilizado para la fabricación de otros disposi

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet de RF 28 V 500 mA 1,8 GHz ~ 2,3 GHz 15 dB 120 W 440162

Carro de la investigación 0

Circuitos integrados