DRA2523Y0L

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :500 mA

Estado del producto :Descatalogado en Digi-Key

Tipo de transistor :PNP - Prejuiciado

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :250 mV @ 5mA, 100 mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :Mini3-G3-B

Resistencia - Base (R1) :2,2 kOhms

El Sr. :Componentes electrónicos de Panasonic

Resistencia - Base del emisor (R2) :10 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :1µA

Potencia - máximo :200 mW

Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :60 @ 100mA, 10V

Número del producto de base :DRA2523

Descripción :TRANSPORTE PREBIAS PNP 200MW MINI3

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Transistor bipolar pre-biasado (BJT) PNP - 50 V pre-biasado 500 mA 200 mW Montado de superficie MINI3-G3-B

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