BLF647P,112

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :65 V

Paquete :la bandeja

Configuración :Fuente doble y común

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :LDMOST

Voltaje - prueba :32 V

El Sr. :Ampleon USA Inc.

Frecuencia :1.3GHz

Ganancias :18dB

Envase / estuche :Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión.

Actual - prueba :100 MA

Potencia - Producción :200 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :-

Número del producto de base :Se trata de un documento de identidad.

Descripción :FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A del RF

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfet RF 32 V 100 mA 1,3 GHz 18 dB 200 W LDMOST

Carro de la investigación 0

Circuitos integrados