1.05GHz MOSFET de potencia RF de silicio de la serie V para aplicaciones RF de montaje de superficie de ganancia

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :Las demás:

Paquete :En bruto

Configuración :-

Serie :V.

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :55-KR

Voltaje - prueba :54 V

El Sr. :Tecnología de microchips

Frecuencia :1Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernad

Ganancias :19.3 dB

Envase / estuche :55-KR

Actual - prueba :120 mA

Potencia - Producción :825 W

Tecnología :-

Clasificación de corriente (amperios) :-

Descripción :TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800 W,

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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Mosfeto de RF 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825 W 55-KR

Carro de la investigación 0

Circuitos integrados