Semiconductor RF de doble puerta de canal N obsoleto con ganancia de 29 dB FET para aplicaciones de RF

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :No está disponible

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Voltado nominal :10 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Configuración :Puerta doble de canal N

Serie :-

Figura del ruido :1dB

Paquete de dispositivos del proveedor :CMPAK-4

Voltaje - prueba :5 V

El Sr. :NXP EE.UU. Inc.

Frecuencia :400 MHz

Ganancias :29dB

Envase / estuche :SC-82A, SOT-343

Actual - prueba :15 mA

Potencia - Producción :-

Tecnología :MOSFET

Clasificación de corriente (amperios) :30 mA

Número del producto de base :BF120

Descripción :MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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RF Mosfet 5 V 15 mA 400MHz 29 dB CMPAK-4

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