Discreto LDMOS RF FET Transistor montado en el chasis 50W 1.99GHz 15.9dB de ganancia

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET

Estado del producto :Descatalogado en Digi-Key

Tipo de montaje :Montura del chasis

Voltado nominal :65 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Figura del ruido :-

Paquete de dispositivos del proveedor :H-36260-2 y H-36260-2 y sus derivados

Voltaje - prueba :30 V

El Sr. :Tecnologías Infineon

Frecuencia :1.99GHz

Ganancias :15.9 dB

Envase / estuche :H-36260-2 y H-36260-2 y sus derivados

Actual - prueba :1.8 A

Potencia - Producción :50 W

Tecnología :ldmos

Clasificación de corriente (amperios) :10µA

Número del producto de base :PTFA192001

Descripción :FET RF 65V 1.99GHz H-36260-2

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:

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RF Mosfet 30 V 1.8 A 1.99GHz 15.9 dB 50W H-36260-2

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